Dareemayaasha cadaadiska Semiconductor waxaa loo qaybin karaa laba qaybood, mid waxay ku saleysan tahay mabda'a ah in sifooyinka I-υ ee isku-xirka semiconductor PN (ama schottky junction) ay isbeddelaan cadaadiska. Waxqabadka cunsurkan xasaasiga ah waa mid aan degganeyn oo aan si weyn loo horumarin. Midda kale waa dareemaha ku salaysan saamaynta piezoresistive semiconductor, taas oo ah noocyada ugu weyn ee dareenka cadaadiska semiconductor. Maalmihii hore, cabirrada cadaadiska semiconductor ayaa inta badan ku xirnaa walxo laastikada si ay u sameeyaan cadaadis kala duwan iyo qalabka cabbiraadda cadaadiska. 1960-meeyadii, iyada oo la horumarinayo tignoolajiyada wareegga isku dhafan ee semiconductor, dareeraha cadaadiska semiconductor oo leh iska caabin faafin sida cunsur piezoresistive ayaa soo muuqday. Dareemka cadaadiska noocan oo kale ah wuxuu leeyahay qaab-dhismeed fudud oo la isku halleyn karo, ma jiraan qaybo dhaqdhaqaaq ah oo qaraabo ah, iyo walxaha xasaasiga ah ee cadaadiska iyo walxaha laastikada ee dareemayaasha ayaa isku dhafan, taas oo ka fogaanaysa cilladda farsamada iyo gurguurta waxayna wanaajisaa waxqabadka dareenka.

Saamaynta Piezoresistive ee semiconductor Semiconductor waxay leedahay sifo la xidhiidha xoogga dibadda, taas oo ah, iska caabin (oo ay matalaan calaamadda ρ) waxay isbeddelaysaa walaaca ay xambaarsan tahay, taas oo loo yaqaan saameynta piezoresistive. Isbeddelka qaraabada ah ee iska caabbinta ee hoos yimaada ficilka cadaadiska cutubka waxaa loo yaqaannaa piezoresistive coefficient, kaas oo lagu muujiyay calaamadda π. Xisaab ahaan loogu muujiyey sida ρ/ρ = π σ.

Halka σ u taagan tahay diiqada. Isbeddelka qiimaha iska caabinta (R / R) ee ay keento iska caabbinta semiconductor ee cadaadiska waxaa inta badan lagu go'aamiyaa isbeddelka caabbinta, sidaas darteed muujinta saameynta piezoresistive sidoo kale waxaa loo qori karaa R / R = πσ.

Marka la eego ficilka xoogga dibadda, cadaadis gaar ah (σ) iyo cadaadis (ε) ayaa laga soo saaraa crystals semiconductor, iyo xiriirka ka dhexeeya iyaga waxaa lagu go'aamiyaa modules Young (Y) ee walxaha, taas oo ah, Y = σ / ε.

Haddii saameynta piezoresistive ay ku muujiso cadaadiska semiconductor, waa R / R = Gε.

G waxa loo yaqaan qodobka xasaasiga ah ee dareemaha cadaadiska, kaas oo u taagan isbeddelka qaraabo ee qiimaha iska caabinta ee cadaadiska cutubka.

Isbahaysiga Piezoresistive ama qodobka xasaasiga ah ayaa ah qiyaasta aasaasiga ah ee jireed ee saamaynta piezoresistive semiconductor. Xidhiidhka ka dhexeeya, sida xidhiidhka ka dhexeeya walbahaarka iyo culayska, waxa go'aamiya modulerka dhallinta ee maaddada, taas oo ah, g = π y.

Sababtoo ah anisotropy ee kiristaalo-ku-salaysan ee barti, modules-ka Young iyo piezoresistive coefficient is badal leh hanuuninta crystal. Baaxadda saamaynta piezoresistive semiconductor sidoo kale waxay si dhow ula xiriirtaa iska caabbinta semiconductor. Hoos u dhigista iska caabbinta, ayaa yaraanta qodobka xasaasiga ah. Saamaynta piezoresistive ee iska caabbinta faafinta waxaa lagu go'aamiyaa jihada crystal iyo feejignaanta wasakhda ee caabbinta faafinta. Diiradda wasakhdu waxay inta badan ka hadlaysaa fiirsashada wasakhda sare ee lakabka faafinta.